APT31M100B2
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APT31M100B2參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：POWER MOS 8™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：32A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：260nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：8500pF @ 25V
功率 - 最大值：1040W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3 變式
供應(yīng)商器件封裝：T-MAX? [B2]