AOI11S60參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：70系列：aMOS™包裝：管件FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：399 毫歐 @ 3.8A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：545pF @ 100V功率 - 最大值：208W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-251-3 短引線(xiàn)，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：*
