YTA640
PDF資料下載

YTA640參數：MOSFET N-CH 200V 15A TO-220AB

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：15A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2000pF @ 10V
功率 - 最大值：80W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220AB