SPN02N60S5
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SPN02N60S5參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：CoolMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：400mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 80µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.4nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4