RSJ650N10TL
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RSJ650N10TL參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 65A LPTS

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：65A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.1 毫歐 @ 32.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：260nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10780pF @ 25V
功率 - 最大值：100W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-83
供應(yīng)商器件封裝：LPTS