IXDI602SITR參數(shù)：2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
類別：集成電路 (IC)-PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：-包裝：帶卷 (TR)配置：低端輸入類型：反相延遲時間：35ns電流 - 峰值：2A配置數(shù)：2輸出數(shù)：2高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：-電壓 - 電源：4.5 V ~ 35 V工作溫度：-40°C ~ 125°C安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC-EP
