FDZ663P
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FDZ663P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：5,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.7A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：134 毫歐 @ 2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：525pF @ 10V
功率 - 最大值：400mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：4-XFBGA
供應商器件封裝：4-WLCSP