FDB3860參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：37毫歐@5.9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：30nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1740pF@50V功率-最大值：3.1W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線(xiàn)+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D²PAK
