FDB035AN06A0
PDF資料下載

FDB035AN06A0參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：800
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.5毫歐@80A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：124nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6400pF@25V
功率-最大值：310W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：TO-263AB