CSD17501Q5A
PDF資料下載

CSD17501Q5A參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview
設(shè)計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
標準包裝：2,500
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.9毫歐@25A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.8V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2630pF@15V
功率-最大值：3.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應商器件封裝：8-SON（5x6）