CSD16411Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview設(shè)計(jì)資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：56A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：10毫歐@10A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.8nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：570pF@12.5V功率-最大值：2.7W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SON
