BSO200P03S
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BSO200P03S參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 7.4A DSO-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標準包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@9.1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：54nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2330pF@25V
功率-最大值：1.56W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8