BSB012N03LX3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation12/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：39A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.2毫歐@30A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：169nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：16900pF@15V功率-最大值：2.8W安裝類型：表面貼裝封裝：3-WDSON供應(yīng)商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAKM?
