BSB012N03LX3 G
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BSB012N03LX3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation12/May/2009
標準包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：39A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2毫歐@30A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：169nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：16900pF@15V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-WDSON
供應(yīng)商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAKM?