APT45GP120JDQ2參數(shù)：IGBT 1200V 75A 329W SOT227
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT產(chǎn)品目錄繪圖： SOT-227Top標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：POWERMOS7®IGBT類型：PT配置：單一電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：3.9V@15V，45A電流-集電極(Ic)（最大值）：75A電流-集電極截止（最大值）：750µA不同?Vce時的輸入電容(Cies)：4nF@25V功率-最大值：329W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：ISOTOP供應(yīng)商器件封裝：ISOTOP?
