2SJ200-Y(F)參數(shù)：MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：散裝FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：180V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：10A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：-不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1300pF @ 30V功率 - 最大值：120W安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（N）
